絕緣電阻檢定裝置

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應(yīng)用領(lǐng)域	電氣

HN8061A兆歐表檢定裝置

 絕緣電阻檢定裝置

依據(jù)JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規(guī)程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規(guī)程》,用于檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
二、主要技術(shù)指標(biāo)
絕緣電阻表檢定裝置(兆歐表檢定裝置)主要用來(lái)檢定額定電壓≤10000V的絕緣電阻表，也可在絕緣電阻表生產(chǎn)、修理中作標(biāo)準(zhǔn)器具。其電阻器部分可單使用。數(shù)字表部分可測(cè)5000V的直流電壓和大20mA的直流電流。
本檢定裝置的主要技術(shù)性能如下：
㈠ 標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字表
1、測(cè)量范圍：
電壓分兩檔：0～5000V  0～10000V  
 短路電流：0～2mA    0～20mA

電阻0-200G-1T-10T 為了描述物理層結(jié)構(gòu)的特征，還必須進(jìn)行頻域分析。S參數(shù)模型說明了這些數(shù)字電路結(jié)構(gòu)所展示出來(lái)的模擬特點(diǎn)包括：不連續(xù)點(diǎn)反射、頻率相關(guān)損耗、串?dāng)_和EMI等性能。為使設(shè)備性能符合標(biāo)準(zhǔn)，眼圖增加了重要的統(tǒng)計(jì)分析功能。為利用特性檢定技術(shù)改善仿真能力，可以采用基于測(cè)試結(jié)果的S參數(shù)或RLCG模型提取技術(shù)。隨著在多種工作模式下進(jìn)行數(shù)字和模擬綜合分析（時(shí)域和頻域）變得越來(lái)越重要，要完成這些測(cè)試功能，通常需要使用多種測(cè)試儀表，同時(shí)操作多種儀表正變得越來(lái)越困難。

HN8062A接地電阻表校驗(yàn)裝置

 

用于檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規(guī)程》所適用的我目前生產(chǎn)的型號(hào)的模擬式、數(shù)字式接地電阻表以及進(jìn)口的同類儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調(diào)節(jié)范圍寬，使用方便，造型美觀等優(yōu)點(diǎn)。 一般的測(cè)定方法有以下幾種：紅外光度法：試樣中的碳、硫經(jīng)過富氧條件下的高溫加熱，氧化為二氧化碳、氣體。該氣體經(jīng)處理后進(jìn)入相應(yīng)的吸收池，對(duì)相應(yīng)的紅外輻射進(jìn)行吸收，由探測(cè)器轉(zhuǎn)發(fā)為信號(hào)，經(jīng)計(jì)算機(jī)處理輸出結(jié)果。此方法具有準(zhǔn)確、快速、靈敏度高的特點(diǎn)，高低碳硫含量均使用，采用此方法的紅外碳硫分析儀，自動(dòng)化程度較高，價(jià)格也比較高，適用于分析精度要求較高的場(chǎng)合。容量法：常用的有測(cè)碳為氣體容量法和非水滴定法，測(cè)硫?yàn)榈饬糠ā⑺釅A滴定法。

主要技術(shù)指標(biāo)：
1、模擬接地電阻

步進(jìn)阻值（Ω）	*1000	*100	*10	*1	*0.1	*0.01	*0.001
功率（W）	0.25	0.25	0.25	0.25	0.1	0.1	0.1
基本誤差極限（α%）	0.1	0.1	0.1	0. 1	1	5	10
時(shí)間常數(shù)τ（S）	≤5*10-6
阻值調(diào)節(jié)范圍（Ω）	0.1--11111.210 小步進(jìn)值0.001Ω

2、模擬輔助接地電阻

電阻值（Ω）	0	500	1000	2000	5000
基本誤差極限（α%）	<0.05Ω	1Ω
功率（W）	0--0.25W

即使在雨、霧等惡劣的氣候條件下，由于可見光的波長(zhǎng)短，克服障礙的能力差，因而觀測(cè)效果差，但紅外線的波長(zhǎng)較長(zhǎng)，特別是工作在8～14um的熱成像儀，穿透雨、霧的能力較高，因此仍可以正常觀測(cè)目標(biāo)。因此在夜間，尤其在惡劣的氣候條件下，采用紅外熱成像監(jiān)控設(shè)備則可以對(duì)目標(biāo)，如人員、車輛等進(jìn)行監(jiān)控。防火監(jiān)控由于紅外熱成像儀是反映物體表面溫度而成像的設(shè)備，因此除了夜間可以作為現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控使用外，還可以作為有效的火警探測(cè)設(shè)備。

HN8063A耐電壓測(cè)試儀校驗(yàn)裝置

一、性能特點(diǎn)

1、測(cè)量準(zhǔn)度：

，OPA209的典型PSRR是0.05uV/V。因此對(duì)于OPA209來(lái)說，電源變化1V時(shí)，失調(diào)偏移只有50nV(參見)。這一誤差與典型失調(diào)電壓(35uV)相比就無(wú)關(guān)緊要了。此外，高精度系統(tǒng)中的電源通常支持不足1V的電壓變量。因此您可能會(huì)認(rèn)為：對(duì)于具有良好PSRR的器件(OPA209)來(lái)說電源變化產(chǎn)生的誤差可以忽略。問題是數(shù)據(jù)表中的規(guī)范是DCPSRR，而通常ACPSRR才是限制因素。再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意，大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決：不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。